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    高通與臺積電合作28奈米芯片 2010年中投產(chǎn)
2010年01月11日 17:06 來源:賽迪網(wǎng) 發(fā)表評論  【字體:↑大 ↓小

  臺積電與高通(Qualcomm)宣布正密切合作,將無線通訊產(chǎn)品由45奈米制程直接推進(jìn)至28奈米制程,以更具成本效益,將更多功能整合在更小芯片上,加速無線通訊產(chǎn)品在新市場的擴(kuò)展。高通預(yù)計(jì)第一批產(chǎn)品將在2010年中投產(chǎn)。

  據(jù)臺灣媒體報(bào)道,臺積電指出,28奈米制程密度可較前一代制程高出1倍,讓執(zhí)行移動運(yùn)算的半導(dǎo)體組件,能在更低耗電下,提供更多功能。高通與臺積電目前在28奈米世代的合作,包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技術(shù),以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速制程技術(shù)。

  高通包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案,小尺寸與低功耗是重要特色。高通與臺積電過去在65奈米與45奈米制程技術(shù)就已密切合作,現(xiàn)在更進(jìn)一步延伸至低耗電、低漏電的28奈米世代進(jìn)行量產(chǎn)。高通預(yù)計(jì)于2010年中投產(chǎn)首批28奈米產(chǎn)品。

  高通并指出,其整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing;IFM)成功的關(guān)鍵,就是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作,不但展現(xiàn)極高的效率,也加速整個(gè)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。

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直隸巴人的原貼:
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