中新網(wǎng)8月24日電 全球移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商朗科公司今天發(fā)布了一款融合了三大加速技術(shù)的閃存盤U217,其連續(xù)讀寫速度提高到驚人的32MB/sec、21MB/sec,隨機(jī)讀寫速度提高到32MB/sec、12MB/sec,后者更是全球著名品牌同類產(chǎn)品的4倍左右。
據(jù)悉,在2009年以前,國(guó)內(nèi)閃存盤的主流容量一直徘徊在4GB以內(nèi),但隨著三星等公司推出了更低納米的閃存芯片,目前閃存盤的最大容量已經(jīng)可以做到上百GB,足以和移動(dòng)硬盤的容量相提并論了。
“在4GB以前,讀寫速度的快慢并不能給用戶以非常直觀的感受,但現(xiàn)在不同了。一款32GB的閃存盤如果用去年業(yè)內(nèi)平均讀寫速度10MB/sec來(lái)存儲(chǔ),累計(jì)需要一個(gè)小時(shí),而如果采用朗科U217,只需十幾分鐘!庇袠I(yè)內(nèi)人士表示,閃存盤容量的大幅攀升,對(duì)閃存盤讀寫速度提出了更高的要求。
據(jù)悉,朗科三大閃存技術(shù)主要通過(guò)“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和Nspeed提速技術(shù)”三種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)速度的顯著提升。
“新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤讀寫速度提高30~40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤的讀寫技術(shù)提高到兩倍。此外,朗科Nspeed提速技術(shù)則利用PC緩存來(lái)提升閃存盤的讀寫性能!崩士乒炯夹g(shù)部門有關(guān)人士向記者表示。
特別值得一提的是,大多數(shù)時(shí)候,閃存盤是用來(lái)存儲(chǔ)零散的小文件,而不像DVD文件那樣動(dòng)輒0.99GB大小,因而其隨機(jī)讀寫性能要比連續(xù)讀寫性能重要得多。目前市面上最好的同類閃存盤的隨機(jī)寫性能只能做到3MB/sec左右,而采用朗科三大閃存技術(shù)的閃存盤最高隨機(jī)寫性能達(dá)到了12MB/S,是前者的4倍,也是目前全球綜合讀寫性能最好的閃存盤。
據(jù)悉,目前采用三大閃存技術(shù)的第一款產(chǎn)品U217已經(jīng)上市,其最大設(shè)計(jì)容量為128GB,是為數(shù)不多的海量閃存盤家族中的領(lǐng)跑者。
作為閃存盤的發(fā)明者、國(guó)內(nèi)唯一擁有芯片級(jí)開(kāi)發(fā)能力的閃存盤廠商,朗科公司在閃存盤技術(shù)領(lǐng)域擁有無(wú)人能及的優(yōu)勢(shì),其開(kāi)發(fā)的數(shù)十項(xiàng)閃存技術(shù)獲得了發(fā)明專利,這些技術(shù)構(gòu)成了現(xiàn)今閃存盤產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ),已經(jīng)為世界各國(guó)閃存廠商所采納。
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